E-V9S1T0BW

Samsung

Preveri zalogo

Vaša cena 102,23 €

36 mesecev
MZ-V9S1T0BW 8806095575674













































































































































































































Splošno  
  Tip Naprave Solid state drive - notranji  
  Zmogljivosti 1 TB  
  Strojno Šifriranje Da,  
  Enkripcija 256-bit AES  
  Masovni Pomnilnik NAND Flash Tip Triple-level cell (TLC)  
  Form Factor M. 2 2280  
  Vmesnik PCIe 5.0 x2 (NVMe)  
  Značilnosti Inteligentni TurboWrite Tehnologije, Samsung V-TLC NAND Tehnologijo, Napravo Spanja podporo, Gostitelj področje Pomnilnika (HMB), TRIM podporo, Avto Smeti Zbiranje Algoritem, S. M. A. R. T., IEEE 1667  
  Širina 22.15 mm  
  Globina 80.15 mm  
  Višina 2.38 mm  
  Teža 9 g  
    Učinkovitost  
  Interna Stopnja 7150 MBps (branje) / 6300 MBps (pisanje)  
  Največ 4KB Naključno Pisanje 1350000 IOPS  
  Največ 4KB Naključno Branje 850000 IOPS  
    Zanesljivost  
  MTBF 1.500.000 ur  
    Širitev & Povezovanje  
  Združljiv Bay M. 2 2280  
    Moč  
  Poraba Energije 4.3 Watt (branje)
4.2 W (pisanje)
60 mW (pripravljenosti)
5 mW (spanje)
 
    Programska Oprema In Sistemske Zahteve  
  Priložena Programska Oprema Samsung Čarovnik Programske Opreme  
    Razno  
  Ohišje Material Nikelj premaz  
    Garancijo Proizvajalca  
  Servis In Podpora Omejena garancija - 5 let / 600 TBW  
    Okolje Parametri  
  Min Temperatura Delovanja 0 °C  
  Max Obratovalna Temperatura 70 °C  
  Udarcu (nedelovanje) 1500 g @ 0,5 ms  
  Vibracije Tolerance (nedelovanje) 20 g @ 20-2000 Hz